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10.高纯单晶硅是重要的半导体材料,在各种集成电路、芯片和CPU的制作中有不可替代的作用。实验室中模拟SiHCl3制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置略去),下列说法错误的是()已知:电负性Cl>H>Si,SiHCl3的沸点为31.8^C,,熔点为-126.5^C,,在空气中易自燃,遇水会剧烈反应。A.实验过程中,加热石英管前应先对H2进行验纯B.实验开始时,排尽装置中的空气是为了防止SiHCl3自燃和水解C.尾气通入NaOH溶液中,SiHCl3发生反应的化学方程式为SiHCl3+7NaOHNa4SiO4+3NaCl+3H2O+H2D.为提高装置IV中SiHCl3的利用率,装置Ⅲ应使用冷水浴
(2)在一定温度下,向2IL的恒容密闭容器中,加入5mol的CO和足量的CuO,发生反应⑤,经过1.5min,容器内气体的平均摩尔质量为40gmol^-1,,则该条件下0∼1.5min内的CO2的平均反应速率为molL^-1s^-1(保留三位有效数字),若此时达到平衡,且压强为P0,,则该反应的压强平衡常数Kp=(用平衡分压代替平衡浓度计算,分压=总压×物质的量分数)。
A.曲线①表示-c(Cu^2+)与pH的关系B.pH==5时,溶液中c(CH3COOH)>c(CH3COO^-)C.pH=7时,可认为Cu^2++沉淀完全D.pH=9时,c(Cu^2+)c(Fe^2+)=10^-3.4
