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13.InP晶体属于立方晶系,其晶胞结构如图1所示,晶胞参数为anm,若沿y轴方向观察该晶胞,可得投影图如图2所示。已知NA为阿伏加德罗常数的值,下列说法不正确的是A.晶体中ln的配位数为4B.晶胞中,1、2原子间间距与2、4相等C.晶体密度为584N1a^310^21gcm^-3zP4y23xD.P原子与原子之间的最近距离为a4图2
(3)①能表示反应b的曲线为,反应a的标准压强平衡常数表达式Kp^=[p(X)表示气体X的分压,用含p0、p(X)的式子表示]。
6.次磷酸(H3PO2)与足量的氢氧化钠溶液反应生成NaH2PO2溶液,H2PO2^-可以用于镀铜,发生反应的离子方程式为H2PO2^-+2Cu^2++6OH^-PO4^3-+2Cu+4H2O,下列说法正确的是A.H3PO2中P元素的化合价为+3价B.NaH2PO2属于酸式盐C.还原性:H2PO2^->CuD.若反应生成1molCu,转移4mole
(4)用高能射线照射含有10电子的D元素氢化物分子时,一个分子能释放出一个电子,同时产生一种具有较强氧化性的阳离子,试写出阳离子的电子式:,该阳离子中存在的化学键类型是。
D.M所含元素中,氮的电负性最大.SiSiCl4是生产多晶硅的副产物,遇水剧烈水解。利用SiCl4对废旧的锂电池正极材料LiCoO2进行焙烧氯化处理(生成LiCl、CoCl2),,以回收Li、Co,工艺流程如图所示。SiCl4NNaOH溶液Na2CO3溶液50500^C烧渣水浸滤液夜1沉钴滤液2沉锂滤液3LiCoO2粗品品焙烧过滤过滤过滤滤饼2O2SiO2滤饼1850^C空气煅烧O3O4下列说法错误的是A."500^C焙烧”时,加入SiCl4的作用是作还原剂B.熔烧后应先除去过量的SiCl,避免水浸时产生大量白雾SiCl4,C.“滤饼1”的主要成分是Co(OH)2D.“沉锂”时,发生反应的离子方程式为2Li*+cO;—Li,CO,2Li^++CO3^2-Li2CO3
