[今日更新]安徽省2024届下学期九年级开学考试（2.27）.物理试卷答案

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【答案】C【解析】让种子吸饱水的目的是增加种子中的自由水，以提高代谢水平

据图可知，在培养基甲（不含ABA)中种子萌发率无差异，而在有ABA的培养基乙中种子萌发率差异较大，说明RRP1和PP2C起作用的必要条件是环境中含ABA

据图可知，与对照组相比，在含ABA的培养基中，RRP1基因敲除型种子的萌发率显著高于野生型种子，而PP2C基因敲除型种子的萌发率显著低于野生型种子，说明RRP1基因抑制种子萌发，PP2C基因促进种子萌发，但在不含ABA的培养基中不适用此结论

该实验的方法为对照实验，其中不含ABA的为空白对照组；采用的方法有排除法，如让种子吸水饱和以排除水分不足的影响

7如图表示生长素(IAA)和细胞分裂素(CK)在调控侧芽分枝过程中的相互作用，CK的含量与IPT基因（异戊烯基转移酶基因，参与细胞分裂素的合成)和CKX基因（细胞分裂素氧化酶基因，参与细胞分裂素的降解）的表达有关

据图分析，下列说法错误的是完整的顶芽x顶端分生组织切除顶芽后侧芽长出后则芽IPT基因关闭CKPT基因打开PT基因关闭CKX基因打开CKX基因关闭CKX基因打开A.生长素和细胞分裂素在调控侧芽分枝过程中可能起拮抗作用B.顶芽和侧芽产生的生长素对IPT基因和CKX基因的作用相同C.切除顶芽后IAA对IPT基因和CKX基因表达的抑制作用减弱，使CK增加D.图示不能说明CK的大量产生会对IPT基因和CKX基因的表达起作用【答案】C【解析】由题干信息可知，顶芽合成的生长素运输到侧芽后降低了侧芽处细胞分裂素(CK)的水平，从而抑制了侧芽的生长，这说明细胞分裂素具有解除顶端优势的作用，故生长素和细胞分裂素在调控侧芽分枝过程中可能起拮抗作用；据图可知，顶芽和侧芽产生的生长素向下运输后，均可促使IPT基因关闭，CKX基因打开，两者作用相同；据图分析可知，切除顶芽后CK向侧芽运输，IPT基因打开，CKX基因关闭，与IAA的作用效果相反，并非IAA对IPT基因和CKX基因表达的抑制作用减弱；该实验并未测定CK的含量，故不能说明CK的大量产生会对IPT基因和CKX基因的表达起作用

8科学家在对黄化豌豆幼苗切段的实验研究中发现，低浓度的生长素促进细胞的伸长，高浓度的生长素抑制细胞的伸长，生长素对细胞生长调节的机理如图

下列相关叙述错误的是生长素浓度低生长素浓度高促进促进抑制细胞伸长生长乙烯增多A生长素具有低浓度促进细胞伸长、高浓度抑制细胞伸长的作用B.高浓度的生长素能调节基因的表达，促进乙烯的合成，乙烯增多又抑制了生长素的作用C,植物体中能合成生长素的部位都能合成乙烯，能合成乙烯的部位不一定能合成生长素D.生长素和乙烯对细胞伸长生长的作用效果相反【答案】D【解析】低浓度的生长素促进细胞伸长，高浓度的生长素抑制细胞伸长，体现了生长素作用的两重性；由图可知，高浓度的生长素促进乙烯的合成，乙烯增多又抑制了生长素促进切段细胞伸长的作用，各类激素的合成都是受基因控制的；植物体中的各个部位都能合成乙烯，合成生长素的主要部位是幼嫩的芽、叶和发育中的种子，有的部位

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4.4.一列简谐波在t=0时刻的波形图如图所示,P点沿y轴方向做简谐运动的表达式为y=1y=10(10mt+13)(y的单位是cm^3)。下列说法中正确的是()A.P点的横坐标xp=43mB.该简谐波沿x轴负方向传播C.该简谐波的传播速度为40m/sD.若该波与另一列简谐相遇能够发生干涉并形成稳定的干涉图样,则另一列简波的振幅一定是10cm

14.(18分)在竖直填壁的左间水平地面上,放置一个边长为,质量M=1kg的正方体ABCD.在墙壁和正方体之间放置一轻R=1m,质的是滑,正方体和球均保静止,如图所示。球的球心为O2OH与竖直方向的突角为,正方体的边长>R,正方体与水平地面间的动摩擦因数为y=33,已知重力加速度,z=10m/s^2,,并认为最大静摩擦力等于滑动摩力。(1)若=45^,m=1kg,竖直墙壁对球的洋力是多大?(2)若B=45^,保持球的半径不变,只增大球的质量,为了不让正方体出现滑动,则球质量的最大值为多少?(本同中取,5=1.782,结果保留3位有效数字),(3)改变正方体到墙整之间的距离,当正方体的右测面AB到墙壁的面离小于某个值L时,则无论球的质量是多少,球和正方体始终处于静止状态,且球没有掉落地面,请同这个距离的值L是多少?a

7.如图所示为一款多功能冷暖风扇的电路简化示意图,触片P处于不同位置时,可以实现冬、夏两用。理想变压器原、副线圈的匝数比n1:n2=4:1,,正常工作时小风扇的电功率为55W,电热丝的额定电压为2220V、额定电功率为800W下列说法正确的是交流电A.触片P仅与b接触时吹的是热风B.该设备只吹风时,通过变压器原线圈的电流为1AC.小风扇线圈的内阻为55ΩD.电热丝的电阻为60.5Ω