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15.立方砷化硼(BAs)是一种优良的半导体材料,BAs的晶胞结构如图所示:若晶胞参数为apm,下列有关说法错误的是A.BAs晶体中存在着配位键B.1号砷的坐标为(14,14,14)C晶胞中As原子与B原子的最近距离为34apmD.晶体BAs的摩尔体积为a^3NA10^-36m^3/mol
(2)装置甲中发生反应的化学方程式为,装置丙中NaClO氧化尿素生成N2H4H2O的离子方程式为。
消耗标准液14.00mL(涉及的反应方程式为2Fe^3++2I^-2Fe^2++I2、I2+2S2O2I^-+S4O6^2-)①盛装Na2S2O3标准溶液的滴定管应选用(填“酸式”或“碱式”)滴定管。②判断达到滴定终点的方法为。③该产品的纯度为%。滴定过程中,如果滴定速度过慢,可能导致所测结果(填“偏高”“偏低”或“无影响”,下同);如果盛标准液的滴定管未润洗,将导致所测结果
7.一种利用铝镓合金制备氢气的新工艺如下。下列有关该工艺的说法错误的是A.该过程中,只满足两种能量的转化形式B.铝镓合金可以循环使用C.总反应式为2H2O二定条件2H2+O2D.铝合金与水反应的化学方程式为2Al+3H2O一定条件Al2O3+3H2
4.制备高纯硅的反应原理为SiCl4(g)+2H2(g)高温Si(s)+4HCl(g)H>0。下列有关该反应的说法错误的是A.增大压强,(逆)变大B.平衡常数K=c^4(HCl)c(SiCl1)c^2(Hi)C.温度升高,平衡常数增大D.高温下每生成1molSi需消耗44.8LH2
