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12.一定温度下,起始向恒压密闭容器中充入X和Y的总物质的量相等,发和生反应X(g)+Y(g)2(g)+Q(1)H数实验测得X、Y的平衡转化率α与起始充入n(X)n(Y)的变化关系如图所示。下下列说法正确的是3(9L1α(X)与起始充的变化关系A.曲线表示充n(X)n(Y)L1aB.a点对应状态下起始充入的n(X)n(Y)=1Lin514.平衡时Z的体积分数:b>ac个正向-L2(兴)9D.其他条件不变,只升高温度,a点垂直向下移动上
0.1molL^-115.室温下,0.1mol·L的NaOH溶液与盐酸酸化的0.02molL^-1FeCl30.02mol·L的FeCl;溶液在滴定时的t一pH曲线如图所t-pH示已知Ksp[Fe(OH)3]=4.010^-38,2=0.3\。,下列说法正确的是pH115plHH=11.8105bA.图示为用FeCl3溶液滴定NaOH溶液的t一pH曲线1.B.由曲线上a点的pH可算得室温下Fe^3+的水解平衡常数Kh(Fe^3+)(10^-1.7)^30.02完全相等apH=x1.70100022000t/sC.若曲线上b点表示Fe^3+恰好沉淀完全,则此时x=3.2D.c点存在关系::3c(Fe^3+)+c(H^+)=c(OH^-)+c(Cl^-)
6+.理预测,由汞(Hg)、锗Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。)X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成(图b为X的晶胞结构)。下列说法错误的是A.图a晶胞中含有8个Ge原子晶胞的化学式为HgGeSb2高的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为4-D.X晶体密度518x^2yNA10^21gcm^-3(NAx10g·cm(NA为阿伏加德罗常数的值)
8.H2SO4-SiO2法生产多晶硅的流程如图所示,下列说法错误的是A..合成1反应中H2做氧化剂NiN2AlH4iA4B..合成2的反应为SiF4+NaAlH4SiH4+NaAlF4合成1合成2净化、热解多晶晶硅SiH4SiF4C.上述流程说明SiO2可溶于H2SO4HH2SO4D.“净化、热解”中生成的多晶硅为还原产物SiO2合成3
(7)利用皮秒激光照射悬浮在甲醇溶液中的多壁碳纳米管可以合成T-碳。-碳的晶体结构可看成全刚石晶体中每个碳原子被正四面体结构单元(由四个碳原子组成)取代,如图所示[其中图(a)、图(b)为T-碳的晶胞和晶胞俯视图,图(c)为金刚石晶胞]。碳的密度非常小,是金刚石的一半,则T一个T-碳晶胞中含有个碳原子。T--碳晶胞的棱长和金刚石晶胞的棱长之比为Cs(1)基态Cs原子的价层电子排布式为;基态K原子的核外电子云有种伸展方向。
