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4.制备高纯硅的反应原理为SiCl4(g)+2H2(g)高温Si(s)+4HCl(g)H>0。下列有关该反应的说法错误的是A.增大压强,(逆)变大B.平衡常数K=c^4(HCl)c(SiCl1)c^2(Hi)C.温度升高,平衡常数增大D.高温下每生成1molSi需消耗44.8LH2
(2)某温度下,等物质的量的Cl2(g)和容密闭容器内发生反应③,达到平衡后欲增加1(g)的产率,可采取的措施(填字母)。0A30A.通入惰性气体B.升高温度C.通入氯气yD.从容器中分离出环戊二烯气体
14.常温下,NaHX-Na2X溶液体系中,存在如图1所示关系,其中x代表c(HX^-)c(H2X)或c(X^2-)c(HX^-);YX为不溶于水的物质,图2中曲线Ⅲ满足c(Y^2+)c(X^2-)=Ksp(YX)。下列说法正确的是010.pH图1A.常温下,K1(H2X)的数量级为10^-7B.图1中6.4<pHc(X^2-)>c(H2X)C.图2中,a点对应体系有沉淀生成D.图2中,b点溶液为过饱和溶液,最终沉淀平衡后会落在c点
(6)有有机物H是D的同分异构体,写出符合下列条件的H的结构简式:(任写一种)。①IR谱检测表明:分子中含有一个苯环,有C-O-C键,无O-H键。2^1H-NMR谱检测表明:分子中共有5种不同化学环境的氢原子。③仅含有两种官能团,其中一种为-NH2,,且氨基与苯环直接相连。
。12.氮化镓(GaN)A.基态Ga原子的价电子排布图为下列说法错误的是B.GaN中Ga采用sp^3杂化(C.与同一个Ga原子相连的N原子构成八面体空间结构D.若晶胞的边长为apm,则晶体的密度为3.3610^96.02a^3gcm^-3
